Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений: Описание лабораторной работы
Байдусь Н.В., Звонков Б.Н.
В пособии описаны основы технологии роста гетероструктур с квантовыми точками методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (ГФЭ МОС). Цель работы: освоение основных принципов и экспериментальных навыков эпитаксиального выращивания полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками на основе арсенида галлия. Подготовлено в Научно-исследовательском физико-технологическом институте ННГУ
درجه (قاطیغوری(:
کال:
2001
خپرندویه اداره:
ННГУ им. Н.И. Лобачевского
ژبه:
russian
صفحه:
18
فایل:
PDF, 505 KB
IPFS:
,
russian, 2001
Litres
غواړئ کتاب پلورنځي ته اضافه وکړئ؟ مونږ سره د support@z-lib.do له لارې اړیکه ونیسئ
File converter
د لټون نورې نبیجې
More benefits 
مهمي جملي
د کتابونو مرتبط لیسټونه
